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牛津儀器 PlasmaPro 80 ICPCVD

名稱:其他儀器與工具

品牌:

型號:

簡介:牛津儀器 PlasmaPro 80 ICPCVD是一種結構緊湊且使用方便的小型直開式系統,可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置,便于使用,且能夠確保工藝性能。直開式設計可實現快速晶圓裝卸,是科學研究、原型設計和小批量生產的理想選擇...

  • 產品介紹
牛津儀器 PlasmaPro 80 ICPCVD是一種結構緊湊且使用方便的小型直開式系統,可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置,便于使用,且能夠確保工藝性能。直開式設計可實現快速晶圓裝卸,是科學研究、原型設計和小批量生產的理想選擇。 它通過優化的電極冷卻和出色的襯底溫度控制來實現高性能工藝。

牛津儀器 PlasmaPro 80 ICPCVD特征

  • 直開式設計允許快速裝卸晶圓

  • 出色的刻蝕控制和速率測定

  • 出色的晶圓溫度均勻性

  • 晶圓最大可達200mm

  • 購置成本低

  • 符合半導體行業 S2 / S8標準


牛津儀器 PlasmaPro 80 ICPCVD應用

  • III-V族刻蝕工藝
  • 硅 Bosch和超低溫刻蝕工藝
  • 類金剛石
  • 類金剛石(DLC)沉積
  • 二氧化硅和石英刻蝕
  • 用特殊配置的PlasmaPro FA設備進行失效分析的干法刻蝕解剖逆工藝,可處理封裝好的芯片, 裸晶片,以及200mm晶圓
  • 高質量PECVD沉積氮化硅和二氧化硅,用于光子學、電介質層、鈍化以及諸多其它用途
  • 用于高亮度LED生產的硬掩模沉積和刻蝕


牛津儀器 PlasmaPro 80 ICPCVD特點

  • 小型系統——易于安置
  • 優化了的電極冷卻——襯底溫度控制
  • 高導通的徑向(軸對稱)抽氣結構—— 確保提升了工藝均勻性和速率
  •  增加<500毫秒的數據記錄功能——可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄
  •  近距離耦合渦輪泵——提供優越的泵送速度加快氣體的流動速度
  •  關鍵部件容易觸及——系統維護變得直接簡單
  • X20控制系統——大幅提高了數據信息恢復功能, 同時可以實現更快更可重復的匹配
  •  通過前端軟件進行設備故障診斷——故障診斷速度快
  • 用干涉法進行激光終點監測——在透明材料的反射面上測量刻蝕深度 (例如硅上的氧化物),或者用反射法來確定非透明材料 (如金屬) 的邊界
  • 用發射光譜(OES)實現較大樣品或批量工藝的終點監測—— 監測刻蝕副產物或反應氣體的消耗量的變化,以及用于腔室清洗的終點監測

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